关键词 |
高可靠烧结银膏,碳化硅烧结银,碳化硅加压烧结银,碳化硅加压烧结银 |
面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
由于材料的热膨胀系数不同、高温波动和运行过程中的过度负载循环将导致焊料层疲劳，影响宽禁带半导体模块的可靠性。
目前，银烧结技术成为国内外第三代半导体封装技术中应用为广泛的技术，美国、日本等碳化硅模块生产企业均采用此技术。
与传统的高温无铅钎料相比，AS9385有压银烧结技术烧结连接层成分为银，具有的导电和导热性能，由于银的熔点高达961℃，将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应，具有的可靠性，且其烧结温度和传统软钎焊料温度相当。
同时在此基础上开发出双面银烧结技术，将银带烧结在芯片正面代替了铝线，或取消底板将基板直接烧结在散热器上，大大简化了模块封装的结构。
芯片连接采用银烧结合金而不是焊接，烧结连接熔点更高，这意味着在给定温度摆幅下连接的老化率将低得多，功率模块的热循环能力可增加5倍。
在银烧结技术中，为了防止氧化和提高氧化层的可靠性，需要在基板裸铜表面先镀镍再镀金或镀银，同时烧结温度控制和压力控制也是影响功率模组质量的关键因素。
全国高可靠加压烧结银热销信息
