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善仁功率器件烧结银膏,石家庄半导体器件低温烧结银

更新时间:2024-07-01 02:56:16 编号:33n1uiugef29b
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刘志

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在如上所述的电子零器件的小型化、高功能化的进展中,半导体元件的发热量具有增大的倾向。然而,若电子零器件长时间暴露在高温环境下,则寿命急剧减少。因此,对于芯片粘接材料散热的要求越来越高。

烧结银AS9375在氮气氛围下230-250℃、1小时的剪切强度为20 MPa以上,空气条件下230-250℃、1小时的剪切强度则为45 MPa以上,而在空气条件下200℃、1小时的接合强度是40 MPa以上。

另一方面,善仁新材也正在积极推动比烧结银技术更为困难的烧结铜技术的开发。烧结铜的热传导率与银相当,但在熔点、线性膨胀系数、屈服应力、材料成本等方面都比银有更好的性。

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