关键词 |
有压烧结银,高可靠烧结银膏,高性价比烧结银,碳化硅加压烧结银 |
面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
目前,银烧结技术成为国内外第三代半导体封装技术中应用为广泛的技术,美国、日本等碳化硅模块生产企业均采用此技术。
烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%,热传导率提升5倍,国内外诸多厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术,银烧结技术成为芯片与基板之间连接的选择.
目前SHAREX开发的银烧结技术已经由微米银烧结进入纳米银烧结阶段,纳米加压烧结银与市面上原来售卖的微米烧结银技术相比:
连接温度和辅助压力均有明显下降,扩大了工艺的使用范围。在银烧结技术中,为了防止氧化和提高氧化层的可靠性,
在银烧结技术中,为了防止氧化和提高氧化层的可靠性,需要在基板裸铜表面先镀镍再镀金或镀银,同时烧结温度控制和压力控制也是影响功率模组质量的关键因素。
善仁新材新推出的有压烧结银AS9385的剪切强度达到93.277MPa,剪切强度大大超过目前市面上主流的有压烧结银的剪切强度,大家可能对93.277MPa没有概念,作为对比,目前市面上的德国某品牌的有压烧结银剪切强度为68MPa,美国某品牌的有压烧结银剪切强度为67MPa。