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在如上所述的电子零器件的小型化、高功能化的进展中，半导体元件的发热量具有增大的倾向。然而，若电子零器件长时间暴露在高温环境下，则寿命急剧减少。因此，对于芯片粘接材料散热的要求越来越高。

善仁新材烧结银的烧结机理
善仁新材的银烧结的驱动力是降低表面能/界面能。原子表面由于具有不饱和键，因此具有表面能。表面能随着原子半径的减小而增加。初银颗粒存在有机层，随着加热过程有机层去除，银颗粒相互接触，进行烧结。

善仁新材烧结银烧结一般可以分为初期、中期和后期，它们之间没有明显界限。

烧结初期，颗粒在烧结驱动力的作用下会进行一定的重排，增加接触面积，生成烧结颈（necks），烧结初期一直持续到烧结颈的直径达到颗粒直径的0.4~0.5倍。

随着电子封装产业的迅猛发展，使得市场对大功率半导体器件材料的门槛不断提高。
善仁新材公司致力于成为的低温银浆的，通过公司的纳米材料平台，金属材料平台等，于2019年再国内率先开发出低温纳米烧结银，打破国外技术壁垒，现已开发出一系列低温烧结银胶产品，适用于功率器件、大功率LED、功率模块的粘接和封装。

烧结银AS9375在氮气氛围下230-250℃、1小时的剪切强度为20 MPa以上，空气条件下230-250℃、1小时的剪切强度则为45 MPa以上，而在空气条件下200℃、1小时的接合强度是40 MPa以上。

另一方面，善仁新材也正在积极推动比烧结银技术更为困难的烧结铜技术的开发。烧结铜的热传导率与银相当，但在熔点、线性膨胀系数、屈服应力、材料成本等方面都比银有更好的性。