关键词 |
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面向地区 |
全国 |
1 导热系数范围:25W/mK-270W/ mK不等;
2 在银、铜和镍钯金引线框架的封装内电阻更低的热阻(Rth)-0.5K/W;
3 无需高温压力,在160度至240度温度范围下低温烧结并且粘接力稳定。在银、铜、镍钯金、金等多种材质的界面下适用更宽泛的芯片粘结尺寸:从1*1mm至90*90mm(Die Size)不等;
4 高粘结强度:根据材质和烧结条件不同,剪切强度从3-8公斤不等。
低温无压:银烧结技术是把材料加热到低于它的熔点温度,然后材料中的银颗粒聚集结合,并实现颗粒之间的结合强度。传统银烧结采用对材料或设备加压、加热直至形成金属接点的方法。然而,在半导体封装领域,这种加压技术的应用必然会碰到芯片破损或者产能不足的问题,因为客户在资本密集型的芯片粘接设备上单个自地生产。
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