关键词 |
北京烧结银烧结银膏,供应烧结银烧结银膏,销售烧结银烧结银膏,烧结银烧结银膏 |
面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
无压烧结银工艺和有压烧结银工艺流程区别
如何降低纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率成为目前研究的重要内容。
4 一个界面涂布烧结银时，涂布的要均匀
5 另外一个界面放烧结银上时，建议加一点压力到上界面压一下
6 烧结时需逐步阶梯升温到一定的温度，比如3分钟升高5度等
7 烧结结束时，建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。
三 其他建议：
善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现：随烧结温度升高和压力加大，烧结体密度和硬度逐渐增大，尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间，增大的趋势更加明显；与此同时，烧结温度越高，烧结银块体的热导率也跟着增大，280℃烧结银的热导率已达到276W/(m·K)。
5导电性不同：无压烧结银的体积电阻一般会在10-6Ω.CM级别，AS9375可以达到4*10-610-6Ω.CM，只比纯银的导电性低60%；而普通导电银胶的导电性一般会在10-4Ω.CM级别。
6 粘结器件不同：烧结银一般粘结大功率器件，比如第三代半导体，大功率LED，射频器件等；导电银胶粘结普通的代集成电路封装，对导电导热效果要求不高的界面等。
对于第三代半导体封装，射频器件，功率器件，大功率芯片封装来说，善仁新材的无压烧结银AS9375表现出了传统解决方案所没有的优势。
全国烧结银烧结银膏热销信息
