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重庆SiC碳化硅烧结银膏厂家

更新时间:2025-02-09 04:48:39 编号:f92v8gfqgd68bd
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  • SiC碳化硅烧结银膏,宽禁带半导体烧结银,SiC烧结银,碳化硅烧结银

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刘志

13611616628

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重庆SiC碳化硅烧结银膏厂家

关键词
SiC碳化硅烧结银膏
面向地区
全国
粘合材料类型
金属类

纳米烧结银做为SiC芯片封装的互连层研究总结
IGBT功率器件被广泛用于新能源电车、车载逆变器上,做主要的控制元器件,而以SiC为代表的第三代半导体材料所制成的功率器件能够承受500℃左右甚至更高的温度,比Si小近千倍的导通电阻,多20倍左右的开关频率等性。

善仁新材纳米烧结银互连结构成型原理及微观结构
纳米颗粒具有特的性能,其比表面积小并且表面曲率半径小,这种特性赋予了它具有比常规的粉体更低的熔点和焊接温度。根据善仁新材研究院的经验得知:纳米银在粒径尺度在10nm以下时,它的烧结温度能降低到100℃以下,比块状时候的熔点的961℃低了800℃以上。与块状银微观结构不同是,纳米烧结银互连层是属于微孔材料,即在其内部分布有众多的微孔隙,微孔隙的尺寸位于亚微米至微米范围间。

③烧结完成后形成SiC-Cu基板纳米烧结银互连层。可以看到,善仁新材的纳米银烧结互连层是碳化硅功率器件封装的关键结构单元,属于薄层结构,其厚度范围一般为20~50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通过镀银、金等烧结工艺提升其互连层的连接强度。

善仁新材研究院通过各种测试得知:纳米烧结银的互连层的空隙大小和空隙率高低和烧结温度,升温速率,保温时间等有密切的关系。

纳米烧结银互连层的蠕变性能
善仁研究院通过实验发现:蠕变应力指数以及激活能分别与环境温度和加载应力的关系很大,建议客户根据自己芯片的大小和界面的镀层材料选择适合的烧结温度和是否加压。

总结和结论
本文通过对纳米烧结银互连层的形成原理、工艺、烧结后的微观形态及热、力学性能、蠕变本构等方面进行了简要综述。

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详细资料

主营行业:导电银浆
公司主营:烧结银,纳米银浆,导电银胶,导电油墨
主营地区:中国
企业类型:股份合作企业
注册资金:人民币6600万
公司成立时间:2016-09-01
员工人数:11 - 50 人
研发部门人数:5 - 10 人
经营模式:生产型
经营期限:2016-01-01 至 2051-01-01
最近年检时间:2021年
品牌名称:AS
主要客户群:4C电子,新能源
年营业额:人民币 5000 万元/年 - 1 亿元/年
年出口额:人民币 3000 万元/年 - 5000 万元/年
年进口额:人民币 200 万元/年 - 300 万元/年
经营范围:导电银胶、导电银浆,低温烧结银,纳米银墨水,纳米银浆,纳米银胶,纳米银膏,可焊接低温银浆,可拉伸导电油墨,透明导电油墨,异方性导电胶,电磁屏蔽胶,导热胶,特种电子胶水等产品。
厂房面积:2000平方米
月产量:30000千克
是否提供OEM:
质量控制:内部
公司邮编:314117
公司传真:021-34083382
公司邮箱:future@sharex.xin
公司网站:sharex.xin
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