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面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
无压烧结银工艺和有压烧结银工艺流程区别
如何降低纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率成为目前研究的重要内容。
一 AS9375无压烧结银工艺流程：
1 清洁粘结界面
2 界面表面能太低，建议增加界面表面能
3 粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽
4 一个界面涂布烧结银时，涂布的要均匀
5 另外一个界面放烧结银上时，建议加一点压力到上界面压一下
6 烧结时需逐步阶梯升温到一定的温度，比如3分钟升高5度等
7 烧结结束时，建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。
二 AS9385加压烧结银工艺流程：
1 清洁粘结界面
2 界面表面能太低，建议增加界面表面能
3 粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽
4 一个界面涂布烧结银时，涂布的要均匀
5 另外一个界面放烧结银上时，建议加一点压力到上界面压一下
6 预烘阶段：150度20-30分钟，界面是铜的基底建议氮气保护（金或者银除外）
7 预压阶段：150度加压0.5-1MPa，时间为：1-3秒；
8 本压阶段：220-280度加压10-30MPa，时间2-6分钟；
9 烧结结束时，建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。
无压烧结银和导电银胶的区别
1 烧结温度不同：AS9375烧结银是通过纳米银颗粒的特的表面能，在不需要任何压力的情况下，在普通的烤箱中加热升温到160度就可以烧结;普通的导电银胶可以在更低的温度下固化，比如AS6080导电胶可以在90度固化。
6 粘结器件不同：烧结银一般粘结大功率器件，比如第三代半导体，大功率LED，射频器件等；导电银胶粘结普通的代集成电路封装，对导电导热效果要求不高的界面等。
