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随着环境温度的升高，有机包覆层开始逐渐挥发或分解。由于具有的表面能，失去表面包覆层的纳米银颗粒无法继续保持稳定，与周围颗粒之间形成烧结颈，进而形成具有块体银性质的烧结体。纳米银颗粒的烧结主要通过各种不同类型的扩散来实现。
烧结的驱动力均为纳米银化学势能或表面能的降低，主要是质量通过从高能量区域迁移到低能量区域来实现的。表面、界面以及晶界的表面能大小依赖于纳米银颗粒的曲率。通过降低它们的曲率来消除或减少界面，纳米银的整体能量得以降低。
一方面，第三代半导体材料自身的热导率已经非常，比如碳化硅热导率可以达到83.6Wm-1K-1，这对热界面材料的导热性能提出了较高要求。如果热界面材料热导率过低就会在连接界面处聚集大量热量，从而降低互连结构的可靠性；另一方面，碳化硅等第三代半导体功率器件的工作温度可以达到260℃甚至更高，传统热界面材料的服役温度上限，这对热界面材料的高温服役可靠性提出了较高要求。
复合纳米银膏烧结互连结构可靠性研究
现阶段对于纳米银膏烧结体在较高温度区间的热膨胀行为还鲜有研究，对于纳米银在其烧结温度的环境中长期服役的可靠性研究尚不充分。在已有的研究中，纳米银膏的服役可靠性往往是在低于或接近于其烧结温度的条件下测试的，而第三代半导体器件的服役温度往往纳米银膏的烧结温度。
在150-270℃烧结的复合纳米银烧结互连结构中的纳米银层显微组织致密均匀，并且与两侧银镀层形成牢固的冶金接合。当烧结温度为270℃时复合纳米银膏烧结互连结构的平均剪切强度可达41.80MPa，并且在经过1000个周期的高温热循环（50-200℃）之后其平均剪切强度依然可达29.85MPa。
4善仁新材复合纳米银墨水AS9001印刷图案的电阻率低于其它单一尺寸纳米银墨水。复合纳米银墨水印刷图案的电阻率随着印刷厚度及烧结温度增加而减小，并且随着印刷次数的增加电阻率下降的速率逐渐降低。当烧结温度为180℃时，厚度为1.7μm的试样的电阻率已经降到了3.54μΩcm。
全国纳米烧结银热销信息
