关键词 |
纳米烧结银,无空洞烧结银,有压烧结银,纳米烧结银膏 |
面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
随着新一代IGBT芯片及功率密度的进一步提高，对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高，特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。
烧结银技术的优势与特点
1.什么是烧结银技术
20世纪80年代末期，Scheuermann等研究了一种低温烧结技术，即通过银烧结银颗粒AS9385实现功率半导体器件与基板的互连方法。
①烧结连接层成分为银，具有的导电和导热性能；②由于银的熔点高达（961℃），将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应，具有的可靠性；
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