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石家庄SiC碳化硅烧结银膏性能可靠

更新时间:2024-06-28 06:21:43 编号:cd2vjun4gc3817
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  • SiC碳化硅烧结银膏,宽禁带半导体烧结银,SiC烧结银,碳化硅烧结银

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刘志

13611616628

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产品详情

关键词
SiC碳化硅烧结银膏
面向地区
全国
粘合材料类型
金属类

石家庄SiC碳化硅烧结银膏性能可靠

近年来以善仁新材开发的纳米烧结银技术为代表的低温连接技术是目前功率器件朝耐高温、高可靠性应用发展的主要趋势,其基本原理是利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现芯片与基板的低温低压烧结互连。

善仁新材另外发现在烧结工艺中引入超声振动能够提高烧结银尺寸和密度,并发现其在处理烧结不充分的边缘地方,能减小过度区,提高纳米烧结银互连层的连接强度;通过引用脉冲电流影响烧结工艺,能够在3分钟的快速烧结中,得到剪切强度为30-35MPa的工艺方法。

烧结纳米银导热率及孔隙关系
孔隙对于热传导性能的影响会很大,善仁新材发现:纳米烧结银热流密度分布不均匀,有孔隙的地方会使得周围的热流密度变低,并且随着孔隙率的增加,等效热导率依次减少。空隙率越低,导热系数越高,空隙率越高,导热系数越低。

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