关键词 |
碳化硅加压烧结银,高可靠烧结银,加压烧结银,三代半加压烧结银 |
面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
目前尽可能从机械方面集成电力电子系统所有的功能,碳化硅、氮化镓(射频/非射频)模块封装也向着更高的集成度方向发展。
与传统的高温无铅钎料相比,AS9385有压银烧结技术烧结连接层成分为银,具有的导电和导热性能,由于银的熔点高达961℃,将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应,具有的可靠性,且其烧结温度和传统软钎焊料温度相当。
连接温度和辅助压力均有明显下降,扩大了工艺的使用范围。在银烧结技术中,为了防止氧化和提高氧化层的可靠性,
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