关键词 |
SiC碳化硅烧结银膏 |
面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
纳米烧结银做为SiC芯片封装的互连层研究总结
IGBT功率器件被广泛用于新能源电车、车载逆变器上，做主要的控制元器件，而以SiC为代表的第三代半导体材料所制成的功率器件能够承受500℃左右甚至更高的温度，比Si小近千倍的导通电阻，多20倍左右的开关频率等性。
近年来以善仁新材开发的纳米烧结银技术为代表的低温连接技术是目前功率器件朝耐高温、高可靠性应用发展的主要趋势，其基本原理是利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现芯片与基板的低温低压烧结互连。
善仁新材纳米烧结银互连结构成型原理及微观结构
纳米颗粒具有特的性能，其比表面积小并且表面曲率半径小，这种特性赋予了它具有比常规的粉体更低的熔点和焊接温度。根据善仁新材研究院的经验得知：纳米银在粒径尺度在10nm以下时，它的烧结温度能降低到100℃以下，比块状时候的熔点的961℃低了800℃以上。与块状银微观结构不同是，纳米烧结银互连层是属于微孔材料，即在其内部分布有众多的微孔隙，微孔隙的尺寸位于亚微米至微米范围间。
② 进行预加热干燥，用于排除烧结银中的有机气体等挥发物，然后在高温下进行无压或压力辅助烧结，主要烧结工艺参数有：升温速率、烧结温度、烧结压强、烧结时间和气体环境等;
③烧结完成后形成SiC-Cu基板纳米烧结银互连层。可以看到，善仁新材的纳米银烧结互连层是碳化硅功率器件封装的关键结构单元，属于薄层结构，其厚度范围一般为20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通过镀银、金等烧结工艺提升其互连层的连接强度。
烧结纳米银导热率及孔隙关系
孔隙对于热传导性能的影响会很大，善仁新材发现：纳米烧结银热流密度分布不均匀，有孔隙的地方会使得周围的热流密度变低，并且随着孔隙率的增加，等效热导率依次减少。空隙率越低，导热系数越高，空隙率越高，导热系数越低。
| 主营行业：导电银浆 |
| 公司主营：烧结银,纳米银浆,导电银胶,导电油墨 |
| 主营地区：中国 |
| 企业类型：股份合作企业 |
| 注册资金：人民币6600万 |
| 公司成立时间：2016-09-01 |
| 员工人数：11 - 50 人 |
| 研发部门人数：5 - 10 人 |
| 经营模式：生产型 |
| 经营期限：2016-01-01 至 2051-01-01 |
| 最近年检时间：2021年 |
| 品牌名称：AS |
| 主要客户群：4C电子，新能源 |
| 年营业额：人民币 5000 万元/年 - 1 亿元/年 |
| 年出口额：人民币 3000 万元/年 - 5000 万元/年 |
| 年进口额：人民币 200 万元/年 - 300 万元/年 |
| 经营范围：导电银胶、导电银浆，低温烧结银，纳米银墨水，纳米银浆，纳米银胶，纳米银膏，可焊接低温银浆，可拉伸导电油墨，透明导电油墨，异方性导电胶，电磁屏蔽胶，导热胶，特种电子胶水等产品。 |
| 厂房面积：2000平方米 |
| 月产量：30000千克 |
| 是否提供OEM：是 |
| 质量控制：内部 |
| 公司邮编：314117 |
| 公司传真：021-34083382 |
| 公司邮箱：future@sharex.xin |
| 公司网站：sharex.xin |
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