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北京生产SiC碳化硅烧结银膏

更新时间:2025-01-26 05:32:38 编号:9dbvdse7f6132
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  • SiC碳化硅烧结银膏,宽禁带半导体烧结银,SiC烧结银,碳化硅烧结银

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刘志

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产品详情

北京生产SiC碳化硅烧结银膏

关键词
SiC碳化硅烧结银膏
面向地区
全国
粘合材料类型
金属类

由于现有封装技术的限制,特别是芯片与基板的互连技术,例如银浆、聚合物材料,软钎焊等互连技术由于焊料合金的低熔点、环氧树脂的低温分解等原因,使其不能在高温环境下可靠工作,导致限制电力电子系统性能和可靠性的瓶颈从半导体芯片转移到了封装技术上来。

近年来以善仁新材开发的纳米烧结银技术为代表的低温连接技术是目前功率器件朝耐高温、高可靠性应用发展的主要趋势,其基本原理是利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现芯片与基板的低温低压烧结互连。

善仁新材的纳米烧结银形成的纳米银互连层具有优良的电、热性能,可承受710℃的高工作温度,而且其厚度相比传统的钎焊接头要薄50~80%,是实现SiC功率器件封装的理想互连材料。

善仁新材另外发现在烧结工艺中引入超声振动能够提高烧结银尺寸和密度,并发现其在处理烧结不充分的边缘地方,能减小过度区,提高纳米烧结银互连层的连接强度;通过引用脉冲电流影响烧结工艺,能够在3分钟的快速烧结中,得到剪切强度为30-35MPa的工艺方法。

纳米烧结银互连层的孔隙研究
善仁公司统计了在不同时间和温度下孔隙率情况。发现孔隙率的大小和芯片的大小有很大的关系,采用无压纳米烧结银AS9375封装5*5mm的小芯片,几乎无孔隙。对于大于5*5mm的芯片,空隙率会在3-8%之间。孔隙主要由小孔和中孔组成,在250℃烧结时,空隙会很少。

烧结纳米银导热率及孔隙关系
孔隙对于热传导性能的影响会很大,善仁新材发现:纳米烧结银热流密度分布不均匀,有孔隙的地方会使得周围的热流密度变低,并且随着孔隙率的增加,等效热导率依次减少。空隙率越低,导热系数越高,空隙率越高,导热系数越低。

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详细资料

主营行业:导电银浆
公司主营:烧结银,纳米银浆,导电银胶,导电油墨
主营地区:中国
企业类型:股份合作企业
注册资金:人民币6600万
公司成立时间:2016-09-01
员工人数:11 - 50 人
研发部门人数:5 - 10 人
经营模式:生产型
经营期限:2016-01-01 至 2051-01-01
最近年检时间:2021年
品牌名称:AS
主要客户群:4C电子,新能源
年营业额:人民币 5000 万元/年 - 1 亿元/年
年出口额:人民币 3000 万元/年 - 5000 万元/年
年进口额:人民币 200 万元/年 - 300 万元/年
经营范围:导电银胶、导电银浆,低温烧结银,纳米银墨水,纳米银浆,纳米银胶,纳米银膏,可焊接低温银浆,可拉伸导电油墨,透明导电油墨,异方性导电胶,电磁屏蔽胶,导热胶,特种电子胶水等产品。
厂房面积:2000平方米
月产量:30000千克
是否提供OEM:
质量控制:内部
公司邮编:314117
公司传真:021-34083382
公司邮箱:future@sharex.xin
公司网站:sharex.xin
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