关键词 |
低孔隙率烧结银膏,有压烧结银,高可靠烧结银,无空洞烧结银 |
面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
随着新一代IGBT芯片及功率密度的进一步提高，对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高，特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。
SHAREX的AS9385银烧结技术也被成为低温连接技术（Low temperature joining technique,LTJT），作为一种新型无铅化芯片互连技术，AS9385烧结银可在低温（＜250℃）条件下获得耐高温（＞700℃）和高导热率（~240 W/m·K）的烧结银芯片连接界面，具有以下几方面优势：
相对于焊料合金，银烧结技术可以更有效的提高大功率硅基IGBT模块的工作环境温度及使用寿命。目前，AS9385银烧结技术已受到高温功率电子领域的广泛关注，它特别适合作为高温SiC器件等宽禁带半导体功率模块的芯片互连界面材料。
