关键词 |
无空洞烧结银,有压烧结银,高剪切强度烧结银,纳米烧结银膏 |
面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
传统钎焊料熔点低、导热性差，难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）的快速发展，对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术，在功率模块封装中的应用受到越来越多的关注。
①烧结连接层成分为银，具有的导电和导热性能；②由于银的熔点高达（961℃），将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应，具有的可靠性；
③AS9385所用纳米银材料具有和传统软钎焊料相近的烧结温度；④烧结材料不含铅，属于环境友好型材料，并且避免清洗的过程，节省了时间，降低了成本。
相对于焊料合金，银烧结技术可以更有效的提高大功率硅基IGBT模块的工作环境温度及使用寿命。目前，AS9385银烧结技术已受到高温功率电子领域的广泛关注，它特别适合作为高温SiC器件等宽禁带半导体功率模块的芯片互连界面材料。
以AS9385有压烧结银膏为例，在烧结过程中，银颗粒通过接触形成烧结颈，银原子通过扩散迁移到烧结颈区域，从而烧结颈不断长大，相邻银颗粒之间的距离逐渐缩小，形成连续的孔隙网络，随着烧结过程的进行，孔洞逐渐变小，烧结密度和强度显著增加，在烧结后阶段，多数孔洞被完全分割，小孔洞逐渐消失，大空洞逐渐变小，直到达到终的致密度。
烧结得到的连接层为多孔性结构，孔洞尺寸在微米及亚微米级别，连接层具有良好的导热和导电性能，热匹配性能良好。
