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氧化铟半导体功能材料合成德盛In2O3稀土1312-43-2

更新时间:2024-09-12 08:17:02 信息编号:872j1o5579a75f
氧化铟半导体功能材料合成德盛In2O3稀土1312-43-2
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详情介绍

氧化铟半导体功能材料合成德盛In2O3稀土1312-43-2

产品别名
氧化铟In₂O₃,三氧化二铟,1312-43-2,氧化铟厂家
面向地区
;Indium oxide; 化学式:In2O3 氧化铟,三氧化二铟,氧化铟高纯,试剂级氧化铟,氧化铟制备,氧化铟出售,采购氧化铟,采购三氧化二铟
分子量277.63400
CAS登录号1312-43-2
EINECS登录号215-193-9
光谱纯试剂氧化铟,
济宁稀土厂家,山东稀土制备,稀土供应来德盛,
熔 点2000 ℃
水溶性不溶
密 度:7.179 g/cm³(25℃)
外 观:白色或淡黄色无定型粉末,加热转变为红褐色基本介绍:氧化铟粉末纯度高、粒度细。广泛应用于有色玻璃、陶瓷、碱锰电池代缓蚀刘、化学试剂等领域。
物理与化学特性:
分子式 分子量 纯 度 颜色 外观
In2O3 277.64 ≥99.99 浅黄 粉末
氧化铟杂质含量:
元素名称 Al Sb Cd Cu Fe Pb Ni Sn As Co Mo
含量ppm(≤) 5 5 5 5 8 15 5 5 2 15 3
产品检测方法:颗粒度:G13390粉末比表面的测定氮吸附法(BET):结合电镜。
纯度:ICP-AES分析测试杂质含量。
包装:编织袋包装25、50/公斤、1000公斤/吨包,纸板桶包装25、50公斤/桶
1.用作光谱纯试剂和电子元件的材料等
2.用于金属反射镜面的保护涂层、光电显示半导体薄膜,也用于制造铟盐、玻璃。

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