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在如上所述的电子零器件的小型化、高功能化的进展中，半导体元件的发热量具有增大的倾向。然而，若电子零器件长时间暴露在高温环境下，则寿命急剧减少。因此，对于芯片粘接材料散热的要求越来越高。
善仁新材烧结银的烧结机理
善仁新材的银烧结的驱动力是降低表面能/界面能。原子表面由于具有不饱和键，因此具有表面能。表面能随着原子半径的减小而增加。初银颗粒存在有机层，随着加热过程有机层去除，银颗粒相互接触，进行烧结。
烧结银AS9375在氮气氛围下230-250℃、1小时的剪切强度为20 MPa以上，空气条件下230-250℃、1小时的剪切强度则为45 MPa以上，而在空气条件下200℃、1小时的接合强度是40 MPa以上。
全国功率器件低温烧结银热销信息
