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在如上所述的电子零器件的小型化、高功能化的进展中，半导体元件的发热量具有增大的倾向。然而，若电子零器件长时间暴露在高温环境下，则寿命急剧减少。因此，对于芯片粘接材料散热的要求越来越高。
烧结中期是从孔洞（pores）达到平衡形态（equilibrium shapes）开始的，这一阶段主要是致密化，与终产物密度的相关性达到97%，因此是烧结过程的主要阶段。
烧结银AS9375在氮气氛围下230-250℃、1小时的剪切强度为20 MPa以上，空气条件下230-250℃、1小时的剪切强度则为45 MPa以上，而在空气条件下200℃、1小时的接合强度是40 MPa以上。
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