关键词 |
SiC碳化硅烧结银膏 |
面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
纳米烧结银做为SiC芯片封装的互连层研究总结
IGBT功率器件被广泛用于新能源电车、车载逆变器上，做主要的控制元器件，而以SiC为代表的第三代半导体材料所制成的功率器件能够承受500℃左右甚至更高的温度，比Si小近千倍的导通电阻，多20倍左右的开关频率等性。
由于现有封装技术的限制，特别是芯片与基板的互连技术，例如银浆、聚合物材料，软钎焊等互连技术由于焊料合金的低熔点、环氧树脂的低温分解等原因，使其不能在高温环境下可靠工作，导致限制电力电子系统性能和可靠性的瓶颈从半导体芯片转移到了封装技术上来。
善仁新材的纳米烧结银互连层的制作工艺
其工艺主要包括：
① 在覆铜（Cu）基板上涂覆或者丝网印刷纳米烧结银，将芯片放置在纳米银膏上；
③烧结完成后形成SiC-Cu基板纳米烧结银互连层。可以看到，善仁新材的纳米银烧结互连层是碳化硅功率器件封装的关键结构单元，属于薄层结构，其厚度范围一般为20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通过镀银、金等烧结工艺提升其互连层的连接强度。
纳米烧结银互连层的孔隙研究
善仁公司统计了在不同时间和温度下孔隙率情况。发现孔隙率的大小和芯片的大小有很大的关系，采用无压纳米烧结银AS9375封装5*5mm的小芯片，几乎无孔隙。对于大于5*5mm的芯片，空隙率会在3-8%之间。孔隙主要由小孔和中孔组成，在250℃烧结时，空隙会很少。
烧结纳米银导热率及孔隙关系
孔隙对于热传导性能的影响会很大，善仁新材发现：纳米烧结银热流密度分布不均匀，有孔隙的地方会使得周围的热流密度变低，并且随着孔隙率的增加，等效热导率依次减少。空隙率越低，导热系数越高，空隙率越高，导热系数越低。
| 主营行业：导电银浆 |
| 公司主营：烧结银,纳米银浆,导电银胶,导电油墨 |
| 主营地区：中国 |
| 企业类型：股份合作企业 |
| 注册资金：人民币6600万 |
| 公司成立时间：2016-09-01 |
| 员工人数：11 - 50 人 |
| 研发部门人数：5 - 10 人 |
| 经营模式：生产型 |
| 经营期限：2016-01-01 至 2051-01-01 |
| 最近年检时间：2021年 |
| 品牌名称：AS |
| 主要客户群：4C电子，新能源 |
| 年营业额：人民币 5000 万元/年 - 1 亿元/年 |
| 年出口额：人民币 3000 万元/年 - 5000 万元/年 |
| 年进口额：人民币 200 万元/年 - 300 万元/年 |
| 经营范围：导电银胶、导电银浆，低温烧结银，纳米银墨水，纳米银浆，纳米银胶，纳米银膏，可焊接低温银浆，可拉伸导电油墨，透明导电油墨，异方性导电胶，电磁屏蔽胶，导热胶，特种电子胶水等产品。 |
| 厂房面积：2000平方米 |
| 月产量：30000千克 |
| 是否提供OEM：是 |
| 质量控制：内部 |
| 公司邮编：314117 |
| 公司传真：021-34083382 |
| 公司邮箱：future@sharex.xin |
| 公司网站：sharex.xin |
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