湖南半导体器件低温烧结银,功率器件烧结银膏

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在如上所述的电子零器件的小型化、高功能化的进展中，半导体元件的发热量具有增大的倾向。然而，若电子零器件长时间暴露在高温环境下，则寿命急剧减少。因此，对于芯片粘接材料散热的要求越来越高。

烧结银AS9375在氮气氛围下230-250℃、1小时的剪切强度为20 MPa以上，空气条件下230-250℃、1小时的剪切强度则为45 MPa以上，而在空气条件下200℃、1小时的接合强度是40 MPa以上。

然而善仁新材开发的烧结铜在金属材料中加入了溶剂、添加剂等材料，使内部形成产生还原性气体的构造，借此解决了氧化被膜的问题，实现了理想的粘结性能。