关键词 |
供应低温烧结纳米银膏,图木舒克烧结纳米银膏,供应烧结纳米银膏,烧结纳米银膏厂家 |
面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
善仁新材博士团队对烧结银块体的性能研究发现：随烧结温度升高，烧结体密度和硬度逐渐增大，尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间，增大的趋势更加明显;与此同时，烧结温度越高，烧结银块体的热导率也跟着增大，280℃烧结银的热导率已达到216W/(m·K);热膨胀行为分析也指出150℃、200℃、250℃三个温度烧结的银浆在加热到100℃以上时热膨胀系数都接近于银浆块体的热膨胀系数值，且230℃烧结的银块体因烧结过程引起的收缩对热膨胀行为影响较小，所以呈现出稳定的状态。
功率半导体封装低温烧结纳米银膏九大特点
善仁新材推出高可靠烧结纳米银膏，产品可以用在SiC，GaN等第三代半导体的封装。也可以用于传统的SIP封装以及大功率器件的封装。
烧结型纳米银膏AS9300系列成为大功率芯片封装的选择。
功率半导体封装低温烧结纳米银膏九大特点
1低压或者无压烧结
2低温工艺：烧结温度可以在180度
3高导热率：导热率可达100W/mK以上
4高导电率：体阻低至8*10-6
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