关键词 |
低温无压纳米烧结银 |
面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
电子元件 |
研发部分为研发一部，研发二部，研发三部。其中研发一部以纳米银为主要研发方向；研发二部以低温导电银浆，导电胶为主要研发方向；研发三部以厚膜浆料为主要研发方向。目前正在申请博士后科研工作站。公司与“常春藤”名校康奈尔大学，北京大学，维兹曼研究所，俄亥俄州立大学，复旦大学，上海交大，东华大学，东京大学，横滨国立大学，国家纳米工程中心等多个科研单位和高等院校建立产学研合作关系。致力于提供环保、、高性价比的导电材料，导热材料，导磁材料解决方案。
为了验证此策略，使用1200V/400A车用SiC功率模块的低应力封装工艺，此器件的烧结面积4.4 mm×4.0 mm，钼片厚度为1.5 mm，氧化铝衬底基板的厚度为1.2 mm。 两侧基板均采用AS9330低温无压银烧结技术以实现器件和钼片的互连，烧结后形成器件-基板组件和钼片-基板组件结构连接，烧结后两组组件的连接使用传统的高温焊料 Pb92.5Sn5Ag2.5。
二 双面冷却 SiC 功率模块的制造工艺
1印刷银焊膏
2贴片
3烧结银焊膏
4引线键合
5端子焊接
6放置焊片
7真空回流焊接
8塑封
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