关键词 |
加压烧结银,碳化硅烧结银,碳化硅加压烧结银,有压烧结银 |
面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
目前尽可能从机械方面集成电力电子系统所有的功能，碳化硅、氮化镓（射频／非射频）模块封装也向着更高的集成度方向发展。
目前，银烧结技术成为国内外第三代半导体封装技术中应用为广泛的技术，美国、日本等碳化硅模块生产企业均采用此技术。
烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%，热传导率提升5倍，国内外诸多厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术，银烧结技术成为芯片与基板之间连接的选择.
同时在此基础上开发出双面银烧结技术，将银带烧结在芯片正面代替了铝线，或取消底板将基板直接烧结在散热器上，大大简化了模块封装的结构。
目前SHAREX开发的银烧结技术已经由微米银烧结进入纳米银烧结阶段，纳米加压烧结银与市面上原来售卖的微米烧结银技术相比：
连接温度和辅助压力均有明显下降，扩大了工艺的使用范围。在银烧结技术中，为了防止氧化和提高氧化层的可靠性，
全国高可靠加压烧结银热销信息
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