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株洲SiC碳化硅烧结银膏

更新时间:2024-12-13 04:01:11 编号:f21qr6qhbc6522
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  • SiC碳化硅烧结银膏,宽禁带半导体烧结银,SiC烧结银,碳化硅烧结银

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刘志

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产品详情

株洲SiC碳化硅烧结银膏

关键词
SiC碳化硅烧结银膏
面向地区
全国
粘合材料类型
金属类

善仁新材的纳米烧结银形成的纳米银互连层具有优良的电、热性能,可承受710℃的高工作温度,而且其厚度相比传统的钎焊接头要薄50~80%,是实现SiC功率器件封装的理想互连材料。

③烧结完成后形成SiC-Cu基板纳米烧结银互连层。可以看到,善仁新材的纳米银烧结互连层是碳化硅功率器件封装的关键结构单元,属于薄层结构,其厚度范围一般为20~50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通过镀银、金等烧结工艺提升其互连层的连接强度。

纳米烧结银互连层的工艺改进
善仁新材研究院比较了加压微米烧结银和无外加压力纳米烧结银,通过实验发现纳米尺度下的银具有比微米尺度下更高的烧结驱动力,避免了压力烧结条件下对芯片和基板中造成缺陷和裂纹等现象,并发现了烧结温度和烧结压强的增加会降低烧结银的孔隙大小,AS9375无压烧结银的纳米银互连层的结合强度可达45MPa。

另外,善仁新材研究院发现:较大面积的互连会导致较差的互连质量,其原因是增加的互连面积阻止了有机成分被燃尽,会导致更高的的孔隙率,针对这种现象,善仁新材提出了两个解决方案:

其一为改变芯片尺寸,好控制在5×5 mm2以内;其二是在烧结银中添加“特殊物质”。善仁新材公司通过控制烧结温度、温升速度、烧结时间研究出一种烧结方法,在针对10×10mm2的大面积连接时,既降低了烧结温度,又将烧结后的剪切强度提升至50MPa左右。

烧结纳米银导热率及孔隙关系
孔隙对于热传导性能的影响会很大,善仁新材发现:纳米烧结银热流密度分布不均匀,有孔隙的地方会使得周围的热流密度变低,并且随着孔隙率的增加,等效热导率依次减少。空隙率越低,导热系数越高,空隙率越高,导热系数越低。

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详细资料

主营行业:导电银浆
公司主营:烧结银,纳米银浆,导电银胶,导电油墨
主营地区:中国
企业类型:股份合作企业
注册资金:人民币6600万
公司成立时间:2016-09-01
员工人数:11 - 50 人
研发部门人数:5 - 10 人
经营模式:生产型
经营期限:2016-01-01 至 2051-01-01
最近年检时间:2021年
品牌名称:AS
主要客户群:4C电子,新能源
年营业额:人民币 5000 万元/年 - 1 亿元/年
年出口额:人民币 3000 万元/年 - 5000 万元/年
年进口额:人民币 200 万元/年 - 300 万元/年
经营范围:导电银胶、导电银浆,低温烧结银,纳米银墨水,纳米银浆,纳米银胶,纳米银膏,可焊接低温银浆,可拉伸导电油墨,透明导电油墨,异方性导电胶,电磁屏蔽胶,导热胶,特种电子胶水等产品。
厂房面积:2000平方米
月产量:30000千克
是否提供OEM:
质量控制:内部
公司邮编:314117
公司传真:021-34083382
公司邮箱:future@sharex.xin
公司网站:sharex.xin
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