无压烧结银深圳烧结银kyocera烧结银替代

目前电子封装中常用的无铅焊料熔点低于250℃，适用于低于150℃的服役温度。然而，在175-200℃乃至更高的使用温度下，这些连接层的性能将下降甚至熔化，严重影响模块的正常运行和长期可靠性。

2018年标志性的转变---使用碳化硅MOSFET替换传统硅基IGBT于主驱逆变器中，为碳化硅技术在电动汽车中的广泛应用奠定了基础。此后，多家国内新能源汽车品牌纷纷投身碳化硅器件的研发应用。新技术的不断涌现，如800V高压快充，以及新能源汽车市场的持续扩张，促进了碳化硅的飞速发展。

AS9378烧结银的低温低压烧结效果好：为了适应大面积烧结，烧结银膏需要较低的温度和压力下达到良好的烧结效果，同时需要确保烧结质量的一致性和模块的可靠性。善仁新材利用自主研发的纳米银粉解决了这一问题。