江苏烧结银低温烧结银Alpha纳米烧结银替代

大面积烧结银AS9387成为碳化硅功率器件封装的
传统功率模块中，芯片通常通过锡焊材料连接到基板。在热循环过程中，连接界面通过形成金属间化合物层形成芯片、锡焊料合金与基板的互联

从2022年9月份开始，善仁新材开发的针对功率模块焊接到散热器上的大面积有压烧结银AS9387，在珠三角的客户端得到客户的广泛认可，此款烧结银可以200度的烧结条件下表现很好的性能，帮助客户实现了的散热效果。此款烧结银不但可以在金银表面进行烧结，也可以在裸铜表面上进行烧结，并且剪切强度高达50MPA以上。

功率模块封装技术的重要趋势之一是在功率模块中越来越多地使用碳化硅MOSFET作为Si IGBT的替代品，特别是在电动车的应用中。这导致了对能够承受更高工作温度的功率模块封装材料的日益增长的需求，例如银烧结芯片粘接、的低杂散电感电气互连、Si3N4-AMB衬板、结构化底板以及高温稳定的封装材料。