电子材料胶水密度大的胶水LED封装贴片胶

联系人鲍经理

步骤一：用干净容器将A与B按重量比10：1混合，快速搅拌均匀。硅胶中的空气可用真空除去，但大多数情况下，在印花过程中气泡会自行消失。根据用量，现配现用，先通过小量试用，掌握其使用技巧。为获得平滑的印花效果，推荐使用精细的筛网（≥120目）。
步骤二：可根据客户需求调整可操作时间及硫化时间。其它技术指标也可根据客户不同求进行调整。

光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得愈发严格。
工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产品质量有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。
为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈

由于光刻胶产品技术要求较高，中国光刻胶市场基本由外资企业占据，国内企业市场份额不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻胶，其核心技术基本被日本和美国企业所垄断。
而细化到半导体用光刻胶市场，国内企业份额不足30%，与国际水平存在较大差距。超过80%市场份额掌握在日本住友、TOK、美国陶氏等公司手中，国内公司中，苏州瑞红与北京科华实现了部分品种的国产化，但是整体技术水平较低，仅能进入8英寸集成电路生产线与LED等产线。