低温纳米烧结银kyocera烧结银替代深圳烧结银

大面积烧结银AS9387成为碳化硅功率器件封装的
传统功率模块中，芯片通常通过锡焊材料连接到基板。在热循环过程中，连接界面通过形成金属间化合物层形成芯片、锡焊料合金与基板的互联

目前电子封装中常用的无铅焊料熔点低于250℃，适用于低于150℃的服役温度。然而，在175-200℃乃至更高的使用温度下，这些连接层的性能将下降甚至熔化，严重影响模块的正常运行和长期可靠性。

大面积烧结银的应用拓展
SHAREX善仁新材的烧结银技术作为封装领域的一个突破，凭借无铅、环保性和的导电导热性能获得了广泛关注。该技术已在市场上得到了大范围的认可。在逆变器系统中，烧结银可以被应用于芯片与氮化硅AMB基板的邦定；或用于DTS烧结芯片顶部处理；或再将功率模块焊接到散热器底板上。